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第58章 与海思的合作

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华微的科学家团队实力非常强大,人数接近2000,这其中化学家100多名、数学家700多名、物理学家900多名。

这些科学家中,国外科学家占比为20-30%,大约是400-600人左右,并非路阳过于小心,科学无国界,但科学家有。

“所有参与光刻机升级的人员,尽量选择华国人,名单简历需要给到我们,每个人都必须签署保密协议,而且海思科技需要跟华芯签署保证书。”

作为华国科技企业的龙头,2018年的华微哪怕是放到国际上,都很少有人对他们有如此要求。

两人没想到路阳这么直接,倪雅南说道:“路总,生产线的所有费用由我们负责,如果涉及到改造升级,就算华微是无偿协助,这过程中所产生的研发成果归哪边所有呢?”

倪雅南这话的意思就是我们已经付过费用了,再派人协助已算还了人情,那么研发的成果华微应该享有一定比例。

路阳摇摇头,“升级成功后,无论是现在,还是以后,华芯都可以保证华微的芯片代工优先权,但光刻机的技术不可能分享,至少短期内是不可能的。”

刘永锐也对两人说道:“老何、倪总,这方面小路说得没错,把心思放其他方面吧,哪怕是华芯也不可能私下把技术转让给谁的。”

何洪年听懂了刘永锐的意思,决策权在顶层,技术这东西,参与项目的研发人员一定会掌握,只要这批人还在华微,其实都不会亏,至于更高层的东西,他们不需要考虑。

“好吧,小路,我可以答应你!你实话告诉我,有多大把握?”

“春节前,60%以上,至于是45纳米还是28纳米,需要你们做评估,我只能告诉你,现在的镜片技术不比蔡司的DUV光刻机差,不过在镜头组装方面,国内起步很晚,相关领域的人才很稀缺。”

何洪年想起刘永锐跟他说过的那句话,“路阳的话,你不仅要信,而且他吹的牛你也要信。”

两个月时间,能做到吗?他再次看向刘永锐。

老刘今天这个捧哏已经做到极限了,避开了何洪年的视线。

心说:“再多说几句我可就危险了。”

路阳是没有保密协议,可他有啊。

“行,我们立刻回深城组织人手,光学方面的科学家华微这边也不少,我会安排的,老刘,你不支持点人手?”

刘永锐摇摇头,“华芯九天那边现在人手都快不够了,人才储备还是太少了。”

这两家都是国内有名的以技术研发为基本的大佬,你们都说不够,那其他家会是什么情况?

路阳再次被刺激到,看来得跟老周好好沟通下这方面的事,国家派下来的人才,毕不可能永远待在华芯。

“光掩膜、光刻胶、衬底及外延,华芯九天那边现在主要方向在这三块,还是卡在设备上,华荣那边在整体负责采购,但效果不佳,最近被盯得很紧。”

刘永锐叹了口气,之前一直专注软件方面,现在开始逐步涉及到硬件才发现难度一点都不比软件差。

何洪年沉思几秒,回头对倪雅南说道:“集团这边看看能不能想办法,老刘这边帮了这么大的忙,我们也得表示表示。”

华微旗下的企业几十家,关系网络不是现在的华芯能够比拟的。

倪雅南还沉浸在刚才刘永锐的话语暗示中,忽然回过神来,思索几秒后说道,

“只是这三样生产线设备的话,问题不大,想想办法应该可以搞到,不过也得分散采购。”

路阳趁热打铁,“最好在年前运回国内,这事就拜托你们了。”

再过几天,那件大事就要发生,届时华微可就不一定能分出精力来帮忙了,必须在11月底前把事情定下来。

倪雅南见路阳亲自开口,也不好推脱,“路总放心,这事我亲自盯。”

“回头我让华荣的负责人联系你,资金由那边出!”

路阳这样安排也是有意让胡稚对接上华微,也许在其他方面也可以用下华微的采购渠道,以胡稚的精明,不用他打招呼那边都能明白。

几人又把事情的大致时间节点确认,详细的进度表这些交给何洪年去做。

第二次与华微的接触,双方都获得了想要的东西,晚餐自然是其乐融融。

回到公寓,路阳简单洗漱后,在电脑上查看DUV光刻机镜头的组装工艺以及相关教程。

光刻需要让紫外光经过掩膜版,把图案精确的聚集到基片上。

对高精度的光刻,图案的畸变要求小于几nm甚至1nm。

为了补偿畸变,需要对透镜或者反射镜精确调节,以前是对透镜或者反射镜的微元进行调节,现在比较先进的方法,对透镜或者反射镜进行温度控制来调节光路,最常见的一种做法是LELE(litho-etch-litho-etch)。

简单讲,就是做两次光刻,把掩模板的位置错开。

相邻的金属线如果做在同一层光掩膜版上,彼此之间就不能做的很近,但如果相邻金属线做在两层不同的光掩模版上的话,彼此之间就可以非常靠近。

这样,只需要把靠近的金属分布在两层不同的光掩模板上,就可以达到想要的效果。

另一种SADP(自对准双重成像技术)。

先通过较低精度的光刻,做出突起的光刻胶保护层(mandrel)。

再在“mandrel”的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜垫片,使用离子刻蚀工艺把沉积的垫片材料再刻蚀掉。由于“mandrel”侧壁的几何效应,沉积在图形两侧的晶圆材料会残留下来。垫片图形的间距是”mandrel”间距的一半,从而实现了空间图形密度的倍增。

理论上来说45纳米精度的DUV光刻机可以通过两次曝光生产7纳米制程的芯片,28纳米精度的DUV光刻机单次曝光就可以实现,无论是哪种方案,都需要研发人员的评估。

这方面路阳可以说是门外汉,但有廖老把关,只要设备能正常运行起来,无论结果如何,系统这边应该都会给出优化方案。

这便是路阳的计划,尽快让设备动起来,让系统去纠错,而且系统给的优化方案,在技术上会更先进。

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